RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2600
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link