RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
80
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
1775
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link