RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
3091
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link