RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2780
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link