RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2535
3537
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link