RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2832
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link