RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
53
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2755
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link