RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
67
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1876
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2800C11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link