RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2443
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link