RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2443
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link