RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
66
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1953
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link