RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2389
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link