RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1605
2272
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link