RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1605
2128
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link