RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link