RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link