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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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