RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2186
2962
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link