RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2488
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link