RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2488
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link