RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3437
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link