SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 65
    Wokół strony -110% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.5 left arrow 1,711.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    65 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,018.7 left arrow 11.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,711.1 left arrow 6.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    513 left arrow 1860
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania