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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
65
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
1860
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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