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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
66
En -69% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2443
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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