RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
65
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2938
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link