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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
65
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
54
读取速度,GB/s
4,018.7
15.2
写入速度,GB/s
1,711.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2938
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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