RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
65
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2938
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link