RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2849
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link