RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2356
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link