RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1954
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link