RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4046
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link