RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2347
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link