RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
71
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2347
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link