RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2199
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link