RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
66
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
63
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2061
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link