RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
44
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2727
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link