RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
72
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1593
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link