RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
72
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1593
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link