RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3244
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link