RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2545
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link