RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
3373
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link