RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3687
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link