RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3080
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link