RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3876
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link