RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
60
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
56
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2200
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link