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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

总分
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    56 left arrow 60
    左右 -7% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.3 left arrow 5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 2,381.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 56
  • 读取速度，GB/s
    5,082.2 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 7.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    925 left arrow 2200

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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内存RAM
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