RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3290
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link