RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
50
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
50
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2424
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link