RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3340
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link