RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3651
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link