RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3121
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link