RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
36
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3121
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Nanya Technology NT16GC72C4NB0NL-CG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link